据悉 TSMC Arizona Fab 21 P2 目前正进行内部无尘室和机电整合工程，2026 年 10 月启动设备装机。该阶段晶圆厂划分为 A / B 两个区域，其中 A 区继续部署 3nm FinFET 制造能力； B 区则提前导入 2nm GAA 工艺，无需等待后续 P3 晶圆厂建成 。

作为行业领导者，台积电（TSMC）的2nm工艺（N2）已进入量产前的最后冲刺阶段，其每片晶圆高达3万美元的报价和约60%的初始良率，引发了市场的高度关注。而对于SRAM来说，良率据说可以达到90%以上，这一水平对于量产来说没有任何困难。

据悉 TSMC Arizona Fab 21 P2 目前正进行内部无尘室和机电整合工程，2026 年 10 月启动设备装机。该阶段晶圆厂划分为 A / B 两个区域，其中 A 区继续部署 3nm FinFET 制造能力； B 区则提前导入 2nm GAA 工艺，无需等待后续 P3 晶圆厂建成 。

8月6日消息，据台媒报道，全球半导体龙头台积电（TSMC）惊传2nm先进芯片制造工艺核心机密遭泄露，相关信息疑似外流至日本知名半导体设备制造商——东京电子（TEL），引发业界高度关注。台积电已发布声明确认，其常规内部监控机制近期发现员工存在不当行为，经内部调查确认涉及营业秘密外泄，公司已立即对涉事人员采取惩处措 ...

产能规划方面，台积电计划在未来 34 个月内完成试产，2026 年实现 4 座工厂月产能达 6 万片。初期 2 纳米工艺良率约为 60%~65%，其中 SRAM 存储单元良率更高，超过 90%。韩国媒体报道，台积电 2 ...

8月6日消息，据台媒报道，全球半导体龙头台积电（TSMC）惊传2nm先进芯片制造工艺核心机密遭泄露，相关信息疑似外流至日本知名半导体设备制造商——东京电子（TEL），引发业界高度关注。值得一提的是，由于iPhone16新 ...

台积电指出，近期在常规的监控情况下侦测到违规行为，经内部调查发现涉及商业秘密泄漏情况。由于公司建立全面及完备的监控机制，得以及早发现，已对涉事违规人员进行严厉惩处，并采取相关法律行动，此案已进入司法程序。

8月20日消息，韩媒ddaily昨日（8月18日）发布博文，报道称台积电（TSMC）和三星电子正围绕2纳米工艺制程展开新一轮激烈竞争。台积电（TSMC）宣布其2纳米制程晶圆将以每片3万美元的固定高价供应，主攻AI与高性能计算（ ...

苹果作为台积电的核心客户，预计依旧会是2nm工艺的首批尝鲜者，不过因为时间问题，今年发布的iPhone 17系列应该不会应用，可能会在iPhone 18系列的A20芯片上首发采用该工艺。 此外，高通骁龙8 Elite 3和联发科天玑9600等旗舰芯片也预计采用台积电的2nm工艺。

针对日经亚洲的询问，台积电回应指出，公司近期在例行监控中“发现了未授权行为，进而侦测到可能涉及商业机密泄露的情况”。台积电同时表示，已对涉案人采取严格处分，并启动法律程序。

7月18日，日本半导体制造商Rapidus宣布，正式启动了2nm GAA（全环绕栅极）晶体管的试制，并成功展示了其首块2nm GAA晶圆。这一进展标志着日本在先进制程技术领域迈出了关键一步，也为未来2nm制程的量产奠定了基础。 据悉，Rapidus首块2nm GAA晶圆直径30厘米，“确认了足以令客户候选满意的运作性能 ...