2 SGT-MOSFET 中间氧化层工艺分析 传统 U-MOSFET 在深沟槽内只有一层多晶硅，而 SGT-MOSFET 采用的是电荷耦合结构，即 SGT-MOSFET 的深沟槽有两层多晶硅，上层多晶硅为栅极，下层多晶硅为屏蔽电极（耦合电极），连接在源极，如图 1 所示。